Гэрэл зургийг REUTERS агентлагийн эрхтэйгээр нийтлэв.

Олон улсын технологийн хэвлэлүүдэд гарсан мэдээллээр Samsung Electronics нь хагас дамжуулагчийн салбар дахь хөрөнгө оруулалтын хэмжээгээр дэлхийн томоохон чип үйлдвэрлэгчдийг тэргүүлсэн байна. Тус компани 2025 онд хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэл, судалгаа хөгжүүлэлтэд нийтдээ ойролцоогоор 59.2 тэрбум ам.долларын хөрөнгө оруулалт хийсэн нь салбарын бусад тэргүүлэгч компаниудаас өндөр үзүүлэлт болжээ.

Мэдээллүүдэд дурдсанаар Samsung-ийн хөрөнгө оруулалтын хэмжээ нь дэлхийн хамгийн том гэрээт чип үйлдвэрлэгч болох TSMC-ийн зарцуулалтаас ч давсан байна. Шинжээчид энэхүү их хэмжээний хөрөнгө оруулалт нь хиймэл оюун ухааны (AI) эрин үед өндөр хүчин чадалтай санах ой, дэвшилтэт үйлдвэрлэлийн технологи, сав баглаа боодлын (advanced packaging) чиглэлд өрсөлдөх чадвараа нэмэгдүүлэх зорилготой гэж үзэж байна.

Samsung энэ онд хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэл болон судалгаа хөгжүүлэлтэд 110 их наяд воны буюу 73 тэрбум ам.доллар гаруй хөрөнгө оруулахаар төлөвлөж байгаагаа өмнө нь зарласан. Энэ нь AI чипийн зах зээлд тэргүүлэх байр сууриа бэхжүүлэх, өндөр зурвасын өргөнтэй санах ой (HBM), дэвшилтэт foundry үйлчилгээ болон AI процессорын үйлдвэрлэлийг өргөжүүлэхэд чиглэж байгаа юм.

Үүний зэрэгцээ Samsung-ийн чипийн салбарын ашиг огцом өсөж, AI дата төвүүдийн эрэлт нэмэгдсэнээр орлого нь шинэ дээд түвшинд хүрээд байна. Компанийн удирдлагууд ирэх жилүүдэд AI-д зориулсан санах ойн чипийн эрэлт нийлүүлэлтээсээ давсан хэвээр байх төлөвтэй гэж мэдэгдсэн байна.

Сүүлийн өдрүүдэд Samsung мөн Өмнөд Солонгост шинэ үеийн чипийн савлагааны үйлдвэр байгуулах боломжийг судалж байгаа талаар мэдээлэгдсэн бөгөөд энэ нь тус компанийн үйлдвэрлэлийн хүчин чадлыг нэмэгдүүлэх дараагийн алхам байж магадгүй гэж ажиглагчид үзэж байна.

Гол тоон үзүүлэлтүүд:

2025 оны хагас дамжуулагчийн хөрөнгө оруулалт: 59.2 тэрбум ам.доллар

2026 оны төлөвлөсөн хөрөнгө оруулалт: 73 тэрбум ам.доллар+

Гол чиглэлүүд: AI чип, HBM санах ой, foundry үйлчилгээ, advanced packaging

Өрсөлдөгчид: TSMC, SK Hynix, Intel

Гэрэл зургийг REUTERS агентлагийн эрхтэйгээр нийтлэв.

Олон улсын технологийн хэвлэлүүдэд гарсан мэдээллээр Samsung Electronics нь хагас дамжуулагчийн салбар дахь хөрөнгө оруулалтын хэмжээгээр дэлхийн томоохон чип үйлдвэрлэгчдийг тэргүүлсэн байна. Тус компани 2025 онд хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэл, судалгаа хөгжүүлэлтэд нийтдээ ойролцоогоор 59.2 тэрбум ам.долларын хөрөнгө оруулалт хийсэн нь салбарын бусад тэргүүлэгч компаниудаас өндөр үзүүлэлт болжээ.

Мэдээллүүдэд дурдсанаар Samsung-ийн хөрөнгө оруулалтын хэмжээ нь дэлхийн хамгийн том гэрээт чип үйлдвэрлэгч болох TSMC-ийн зарцуулалтаас ч давсан байна. Шинжээчид энэхүү их хэмжээний хөрөнгө оруулалт нь хиймэл оюун ухааны (AI) эрин үед өндөр хүчин чадалтай санах ой, дэвшилтэт үйлдвэрлэлийн технологи, сав баглаа боодлын (advanced packaging) чиглэлд өрсөлдөх чадвараа нэмэгдүүлэх зорилготой гэж үзэж байна.

Samsung энэ онд хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэл болон судалгаа хөгжүүлэлтэд 110 их наяд воны буюу 73 тэрбум ам.доллар гаруй хөрөнгө оруулахаар төлөвлөж байгаагаа өмнө нь зарласан. Энэ нь AI чипийн зах зээлд тэргүүлэх байр сууриа бэхжүүлэх, өндөр зурвасын өргөнтэй санах ой (HBM), дэвшилтэт foundry үйлчилгээ болон AI процессорын үйлдвэрлэлийг өргөжүүлэхэд чиглэж байгаа юм.

Үүний зэрэгцээ Samsung-ийн чипийн салбарын ашиг огцом өсөж, AI дата төвүүдийн эрэлт нэмэгдсэнээр орлого нь шинэ дээд түвшинд хүрээд байна. Компанийн удирдлагууд ирэх жилүүдэд AI-д зориулсан санах ойн чипийн эрэлт нийлүүлэлтээсээ давсан хэвээр байх төлөвтэй гэж мэдэгдсэн байна.

Сүүлийн өдрүүдэд Samsung мөн Өмнөд Солонгост шинэ үеийн чипийн савлагааны үйлдвэр байгуулах боломжийг судалж байгаа талаар мэдээлэгдсэн бөгөөд энэ нь тус компанийн үйлдвэрлэлийн хүчин чадлыг нэмэгдүүлэх дараагийн алхам байж магадгүй гэж ажиглагчид үзэж байна.

Гол тоон үзүүлэлтүүд:

2025 оны хагас дамжуулагчийн хөрөнгө оруулалт: 59.2 тэрбум ам.доллар

2026 оны төлөвлөсөн хөрөнгө оруулалт: 73 тэрбум ам.доллар+

Гол чиглэлүүд: AI чип, HBM санах ой, foundry үйлчилгээ, advanced packaging

Өрсөлдөгчид: TSMC, SK Hynix, Intel

#Samsung,